Уменьшение размеров транзисторов имеет решающее значение для дальнейшего увеличения производительности чипов, поэтому полупроводниковая промышленность работает над различными способами уменьшения размеров транзисторов. В ближайшие годы производители микросхем планируют внедрить новейшие инструменты ASML для литографии в крайнем ультрафиолете (EUV) с высокой числовой апертурой, которые будут особенно полезны для чипов пост-3-нм класса. Но что дальше? В ASML говорят, что Hyper-NA в настоящее время изучается для создания еще не определенных новых инструментов, которые появятся в 2030-х годах для производства будущих поколений чипов

«Гипер-NA с числовой апертурой выше 0,7 — это, безусловно, возможность, которая станет реальной примерно с 2030 года», — написал Мартин ван ден Бринк, технический директор ASML, в годовом отчете ASML за 2023 год. «Вероятно, это будет наиболее актуально для логики — и оно должно быть более доступным, чем двойной шаблон [High-NA EUV] — но это также может быть возможностью для DRAM. Для нас ключевым моментом является то, что Hyper-NA управляет нашей общей платформой возможностей EUV, позволяющей сократить как стоимость, так и время выполнения заказа».

Как сообщает Tom’s Hardware, текущий ассортимент EUV-инструментов ASML состоит из моделей, которые имеют оптику с числовой апертурой 0,33 и могут достигать критического размера (CD) 13,5 нм. Этого достаточно для получения минимального шага 26 нм и приблизительного шага межсоединений 25–30 нм о с рисунком однократного воздействия. Этих размеров достаточно для производственных узлов класса 4/5 нм. Тем не менее, промышленности потребуется шаг 21-24 нм для 3-нм, поэтому техпроцесс TSMC N3B предназначен для использования двойного рисунка EUV Low-NA для печати с минимально возможным шагом. Этот подход считается очень дорогим.

Системы EUV следующего поколения с высокой числовой апертурой и оптикой с числовой апертурой 0,55 будут достигать CD 8 нм, этого будет достаточно для печати с минимальным шагом около 16 нм, что подойдет для чипов, превышающих 3 нм, и, как ожидается, подойдет даже для 1 нм , согласно данным, представленным Imec.