1N5819
Цена 1.17 - 3 420.30 руб.
Описание 1N5819
Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density.High power, efficiency and density.
| Материал | кремний |
|---|---|
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 40В |
| Максимальное импульсное обратное напряжение | 40В |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток | 1А |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 25А |
| Максимальный обратный ток | 1000мкА 25гр |
| Максимальное прямое напряжение | 0.6В |
| при Iпр. | 1А |
| Общая емкость Сд | 110пФ |
| Рабочая температура | -65…125С |
| Способ монтажа | в отверст. |
| Корпус | do41 |
| Вес | 0.4г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлРезультаты поиска по позиции
-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. 1N5819
2-5 4433 3.46 1N5819
2-5 24888 2.23 1N5819
2-5 44523 2.14 1N5819
4-6 3917 1000 11.23 1N5819
4-6 6511 1000 5.29 1N5819
1-2 47 3000 9.35 1N5819
1-2 580 3000 2.90 1N5819
7-10 3427 3000 0.00 1N5819
6-7 2954 4000 3.88 1N5819
4-7 1800 4000 3.32 1N5819
4-7 11 4000 7.74 1N5819
5-6 1204 4000 9.72 1N5819
5-7 291 4000 2.52 1N5819
5-8 153 5000 6.50 1N5819
5-8 356 5000 3.90 1N5819
5-8 152 5000 10.40
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.