1N5819
Цена 1.86 - 12.16 руб.
Описание 1N5819
Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density.High power, efficiency and density.
Материал | кремний |
---|---|
Максимальное постоянное обратное напряжение | 40В |
Максимальное импульсное обратное напряжение | 40В |
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток | 1А |
Максимально допустимый прямой импульсный ток | 25А |
Максимальный обратный ток | 1000мкА 25гр |
Максимальное прямое напряжение | 0.6В |
при Iпр. | 1А |
Общая емкость Сд | 110пФ |
Рабочая температура | -65…125С |
Способ монтажа | в отверст. |
Корпус | do41 |
Вес | 0.4г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлРезультаты поиска по позиции
-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. 1N5819
2-5 21797 4.32 1N5819
2-5 13179 2.86 1N5819
2-5 30984 2.85 1N5819
4-6 7268 4.80 1N5819
4-6 4972 11.73 1N5819
4-6 13235 5.20 1N5819
7-10 3476 1000 0.00 1N5819
6-7 1407 2000 7.26 1N5819
4-7 28000 2000 4.42 1N5819
4-7 53 2000 12.16 1N5819
5-6 373 2000 9.72 1N5819
5-7 158 2000 2.52 1N5819
5-7 293 2000 2.52 1N5819
5-7 1998 2000 2.52 1N5819
4-8 10000 2000 5.00 1N5819
4-8 8000 2000 5.00
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.