Нет товаров в корзине
144953
AUIRFR1010Z
Цена 110.00 руб.
Описание AUIRFR1010Z
The AUIRFR1010Z is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resis...The AUIRFR1010Z is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | 55В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 91 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.0075 ом при 42a, 10вRds (on) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Крутизна характеристики | 31S |
| Корпус | dpak |
| Особенности | Автомобильные Приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес | 0.4г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.