Нет товаров в корзине
148522
IRFP2907ZPBF
Цена 896.77р.
Описание IRFP2907ZPBF
The IRFP2907ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extr...The IRFP2907ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | 75В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id | 0.0045 ом при 90a, 10вRds (on) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Корпус | to247ac |
| Вес | 7.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файл-
Наименование Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб Нужное к-во, шт. IRFP2907ZPBF
4-6 265 896.77
Доставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.