Нет товаров в корзине
147036
IRG4BC30FDPBF
Цена 190.00 руб.
Описание IRG4BC30FDPBF
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a compr...
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | gen4 |
|---|---|
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ | 600В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C | 31A |
| Импульсный ток коллектора (Icm) | 124А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе | 1.8В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 100Вт |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C | 42нс |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C | 230нс |
| Рабочая температура (Tj) | -55…+150°C |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес | 2.5г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.