Нет товаров в корзине
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
Структура | n-канал |
---|---|
Напряжение пробоя (V(br)gss) | 35В |
Ток утечки (Idss) | 2(min)мА |
при Vds | 15В (Vgs=0) |
Напряжение отсечки (Vgs off) | 0.5…3В |
при Id | 1000нА |
Сопротивление канала (RDS(On)) | 100(max)Ом |
Максимальная рассеиваемая мощность | 0.625Вт |
Рабочая температура (Tj) | -55…+150°C |
Корпус | to-92 |
Вес | 0.3г |
В разработке.
Характеристики, параметры
Скачать файлДоставка в регионы
Доставляем по всей России.
Тех. поддержка
Всегда вам поможем.
Скидки и акции
С нами выгоднее.